該單位是我國(guó)高分子合成材料研發(fā)、生產(chǎn)的重要基地。主要從事有機(jī)氟、有機(jī)硅、環(huán)氧樹脂等高分子合成材料的研發(fā)、生產(chǎn)、加工和經(jīng)營(yíng)，同時(shí)覆蓋含氟精細(xì)化學(xué)品、特種工程材料、塑料成型加工、專用塑料機(jī)械、化工設(shè)備與防腐等門類。產(chǎn)品涉及20多個(gè)大類、200多個(gè)品種、千余種規(guī)格，廣泛應(yīng)用于航天、航空、汽車、電子、石油、化工、煤炭、紡織和機(jī)械等領(lǐng)域。

現(xiàn)場(chǎng)概況

配電室Ⅱ段低壓電容補(bǔ)償裝置長(zhǎng)期運(yùn)行在故障狀態(tài)，有大量電容器頻繁出現(xiàn)鼓包、漏液，復(fù)合開關(guān)燒毀，熔斷器炸裂等問題，電容柜實(shí)際的輸出能力也無法滿足設(shè)備正常生產(chǎn)用電對(duì)無功功率的需求。

現(xiàn)場(chǎng)部分圖片資料如下：

問題分析

①電容器頻繁漏液、鼓肚

漏液、鼓肚主要為電容器內(nèi)部溫度過高、壓力超過電容器所能承受壓力范圍所致，實(shí)測(cè)仍在運(yùn)行中的電容器容值均有明顯衰減，導(dǎo)致電抗率下降進(jìn)一步加重諧波流入補(bǔ)償支路，加重電容器發(fā)熱，形成惡性循環(huán)。

②復(fù)合開關(guān)燒毀

復(fù)合開關(guān)缺點(diǎn)為可控硅模塊容量低，過零檢測(cè)抗干擾能力差，繼電器觸點(diǎn)分?jǐn)嗄芰θ酰谥C波較重或頻繁投切的運(yùn)行環(huán)境中易受到干擾，出現(xiàn)過零不準(zhǔn)，易拉弧燒壞觸點(diǎn)。

③熔斷器炸裂

超過熔斷器有效分?jǐn)嗄芰赡艹霈F(xiàn)爆炸等現(xiàn)象，且諧波導(dǎo)致的集膚效應(yīng)，運(yùn)行溫度過高，均可使熔斷器實(shí)際有效參數(shù)降低，諧波環(huán)境中電容器的容值衰減間接引發(fā)的諧振過電流、過電壓也是熔斷器炸裂的重要原因之一。

以上分析均默認(rèn)元器件為符合國(guó)標(biāo)的合格產(chǎn)品

綜上，本用戶現(xiàn)場(chǎng)主要問題應(yīng)在產(chǎn)品的選型應(yīng)用于電網(wǎng)實(shí)際運(yùn)行環(huán)境不匹配所致。

方案目標(biāo)

1）改造后該段回路月均功率因數(shù)達(dá)到 0.95 以上；

2）改造后該段回路5、7諧波可得到降低及抑制；

3）改造后該段回路的總電流可得到降低，能降低線路損耗及變壓器發(fā)熱。

4）改造后完全杜絕電容器漏液、鼓肚，熔斷器炸裂等現(xiàn)象出現(xiàn)。

本次采用方案為定制型動(dòng)靜結(jié)合濾波補(bǔ)償方案，通過以部分無觸點(diǎn)開關(guān)代替?zhèn)鹘y(tǒng)觸點(diǎn)投切開關(guān)的形式跟蹤動(dòng)態(tài)負(fù)荷避免了傳統(tǒng)觸點(diǎn)開關(guān)在負(fù)荷波動(dòng)下的頻繁投切，從控制方案上大幅延長(zhǎng)了裝置使用壽命。最終完成方案目標(biāo)并獲得客戶好評(píng)。